| 摘要 |
<p>본 발명은 별도의 레퍼런스 전압 생성부를 구비하지 않고 구현 면적을 줄인 강유전체 메모리 장치와 감지 증폭기의 증폭 속도를 개선한 강유전체 메모리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 다수의 워드라인 및 다수의 정/부비트라인이 서로 교차되어 매트릭스 형태로 구성되며, 하나의 셀당 하나 이상의 강유전체 커패시터를 포함하는 강유전체 메모리 어레이와, 상기 정비트라인 및 상기 부비트라인의 소신호를 감지하여 증폭하는 감지 증폭기를 구비하는 강유전체 메모리 장치에 있어서, 1/2 전원전압보다 높은 값(전원전압보다는 낮음)을 갖는 전압으로 상기 정비트라인을 프리차지하는 수단; 및 실질적인 1/2 전원전압으로 상기 부비트라인을 프리차지하는 수단을 구비하는 강유전체 메모리 장치가 제공된다.</p> |
