发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME CAPABLE OF REDUCING DETERIORATION OF LOW DIELECTRIC CONSTANT FILM
摘要 <p>반도체 장치에서, 기판상에 배선 라인층을 형성한다. 이 배선 라인층상에 유전율막을 형성한다. 이 유전율막의 전체 부분상에 상부 보호막을 형성한다. 이 상부 보호막 및 유전율막을 통과하여 배선 라인층까지 개구부를 형성한다. 이 개구부내로 도전체 매설부를 형성한다. 유전상수막은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막보다 더 작은 유전율을 갖는다. 또한, 개구부의 모든 측면부에 상기 보호막을 형성할 수도 있다.</p>
申请公布号 KR100333562(B1) 申请公布日期 2002.04.24
申请号 KR19990018683 申请日期 1999.05.24
申请人 null, null 发明人 아오끼히데미쓰
分类号 H01L21/302;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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