| 发明名称 | 非易失半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 存储单元阵列具有第1、第2存储区域。上述第1存储区域具有由地址信号选择的多个存储元件,上述第2存储区域具有由控制信号选择的多个存储元件。控制电路具有第1熔丝元件。上述控制电路在上述第1熔丝元件被切断时,禁止对于上述第2存储区域的写入和擦除的至少其中之一。 | ||
| 申请公布号 | CN1346130A | 申请公布日期 | 2002.04.24 |
| 申请号 | CN01137244.3 | 申请日期 | 2001.09.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 柴田升;田中智晴 |
| 分类号 | G11C11/34;G11C16/00;H01L27/10 | 主分类号 | G11C11/34 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 罗亚川 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置，其特征是包含：具有第1、第2存储区域的存储单元阵列，上述第1存储区域(blk)具有由地址信号选择的多个存储元件，上述第2存储区域(blkRD)具有由控制信号选择的多个存储元件；具有熔丝元件的控制电路(15)，上述控制电路在切断上述熔丝元件时，禁止相对于上述第2存储区域的写入和擦除的至少其中之一。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||