METHOD FOR FORMING FERROELECTRIC CAPACITOR

摘要

본 발명은 공정 단계를 보다 감소시키고 플라즈마 손상을 감소시킬 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법에 관한 것으로, 상부전극을 이룰 백금막과 SBT 강유전체막을 동시에 식각하여 하부전극을 노출시키는데 특징이 있다. 이와 같이 백금 상부전극 측벽을 덮는 비전도성의 강유전체 펜스가 형성되어 하부전극을 식각할 때 생기는 백금 펜스는 상부전극과 단락을 일으킬 수가 없게 된다.