| 主权项 |
1.一种用于产生矽(Si)-锗(Ge)化合物之外延层之方法,其包括:-导入载体气体,矽化合物气体及锗化合物气体到外延室(6)中,在这些气体之混合物中水分含量为小于2ppm;-在低于750℃下,进行外延生长。2.根据申请专利范围第1项之方法,在载体气体及矽与锗化合物气体之混合物中水分含量为小于1ppm。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,外延层的组成为Si1-xGex(0<x≦1)。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,外延层产生的温度为450℃到700℃之间。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,矽化合物气体为矽烷(SiH4)。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,锗化合物气体为锗烷(GeH4)。7.一种产生矽(Si)-锗(Ge)-碳(C)化合物之外延层之方法,其包括:--导入载体气体,矽化合物气体,锗化合物气体及碳化合物气体到外延室(6)中,在这些气体之混合物中水分含量为小于2ppm(体积比);-在低于750℃下,进行外延生长。8.根据申请专利范围第7项之方法,在载体气体及矽、锗及碳化合物气体之混合物中水分含量为小于1ppm。9.根据申请专利范围第7或8项之方法,外延层的组成为Si1-x-yGexCy(0<x≦1,0<y≦1)。10.根据申请专利范围第7或8项之方法,碳化合物气体为组成CH3SiH3。11.根据申请专利范围第7或8项之方法,外延层产生的温度为450℃到700℃之间。12.根据申请专利范围第7或8项之方法,矽化合物气体为矽烷(SiH4)。13.根据申请专利范围第7或8项之方法,锗化合物气体为锗烷(GeH4)。14.一种产生外延层之装置,其包括:-外延室(6);-用于进料载体气体及至少矽化合物与锗化合物到外延室(6)之机构(13,15),在这些气体混合物中水分含量为低于2ppm;-用于维持在外延生长期间外延室(6)为低于750℃之温度之机构(8,10)。15.根据申请专利范围第14项之装置,外延室被供给有矽-碳化合物。16.根据申请专利范围第15项之装置,矽-碳化合物气体为CH3SiH3。17.根据申请专利范围第14至16项中任一项之装置,在气体混合物中水分含量为小于1ppm。18.根据申请专利范围第14至16项中任一项之装置,矽化合物气体为矽烷(SiH4)。19.根据申请专利范围第14至16项中任一项之装置,锗化合物气体为锗烷(GeH4)。图式简单说明:图1显示使进行根据本发明之外延生长成为可能之装置;图2A及2B为显示在外延生长室中,水分浓度为时间函数之变化之实施例。图3A及3B为以不同水分含量所获得之层的实施例。 |
