| 主权项 |
2.一种半导体装置绝缘膜,其用为半导体装置内层绝缘膜,该绝缘膜实质上由聚,-二氟对二甲苯组成及具有从0.4至0.9的相对介电常数。3.一种能够填充在闸(gap)中的半导体装置绝缘膜,该绝缘膜实质上由聚,-二氟对二甲苯组成,而具有深度(D)及开口宽度(L)的比率(D/L)为1或更多。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置绝缘膜,其中该绝缘膜的形状能够利用氧电浆照射来设计。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置绝缘膜,系用于包含在半导体基材上至少有二层传导层通过作为内层该绝缘膜之半导体装置中。图式简单说明:图1为用来形成本发明之绝缘膜的LPCVD(低压化学气相沉积)装置之基本的实施例的概略前视图。图2覆盖阶梯之计算的图式。图3A至3C显示金属镶嵌制程的截面图。图4显示用为半导体装置内层绝缘膜的本发明之绝缘膜的具体实施例之截面图。图5显示具有在上面形成本发明之绝缘膜的基材截面之扫描电子显微图。图6显示具有在上面形成本发明之绝缘膜的基材截面之扫描电子显微图。图7显示具有在上面形成本发明之绝缘膜的基材截面之扫描电子显微图。图8显示具有在上面形成本发明之绝缘膜的基材截面之扫描电子显微图。图9显示本发明之绝缘膜的红外线光谱图以测定吸水性。图10为一种扫描电子显微图显示截面基材具有绝缘膜本发明形成在上面。 |
