| 主权项 |
1.一种半导体双晶白色LED封装结构,系利用二种对白光为互补之光混波产生白光;主要包括:(a)一封装基座,具有至少一正极接脚,及一负极接脚,该负极接脚具有一凹室;(b)一第一LED晶粒,具有一正极及一负极,并容置于该封装基座之凹室内;(c)一第二LED晶粒,其发射光波长与第一LED晶粒之发射光波长对白光为互补,其有一正极及一负极,封装于该凹室上方,使该凹室形成一封闭空间;及(d)复数条金属导线,将该第一LED晶粒及该第二LED晶粒之正极连接至该封装底座之正极接脚上。2.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第一LED晶粒之负极黏接于该负极接脚之凹室。3.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒之负极以金属导线连接至该封装基座之负极接脚。4.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒下方设有一支撑板。5.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该封装基座具有一正极接脚,使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒之正极皆连接至该正极接脚,形成单正单负封装结构。6.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该封装基座具有二正极接脚,使该第一LED晶粒及该第二LED晶粒之正极分别连接至该二正极接脚,形成双正单负封装结构。7.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒之面积大于该第一LED晶粒之面积。8.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第一LED晶粒之面积约为36-400mil2。9.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒之面积约为400-900mil2。10.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第一LED晶粒为黄光LED晶粒。11.如申请专利范围第10项之封装结构,其中该黄光LED晶粒为InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成之黄光LED晶粒。12.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒为蓝光LED晶粒。13.如申请专利范围第12项之封装结构,其中该蓝光LED晶粒为InGaN磊晶在蓝宝石基板上形成之蓝光LED晶粒。14.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第一LED晶粒为蓝光LED晶粒。15.如申请专利范围第14项之封装结构,其中该蓝光LED晶粒为InGaN磊晶在蓝宝石基板上形成之蓝光LED晶粒。16.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该第二LED晶粒为黄光LED晶粒。17.如申请专利范围第16项之封装结构,其中该黄光LED晶粒为InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成之黄光LED晶粒。图式简单说明:第1A及1B图为习知黄光及蓝光LED晶粒的剖面图。第2A及2B图显示二种本发明双晶白光LED单正单负封装构造之剖面图。第3图系本发明双晶白光LED单正单负封装构造之等效电路图。第4A及4B图显示二种本发明双晶白光LED双正单负封装构造之剖面图。第5图系本发明双晶白光LED双正单负封装构造之等效电路图。 |
