第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

[课题]一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，可防止反射层之剥离，且可大幅度提高发光元件之生产性。[解决之手段]在基板11里面(基板面11b)，横跨发光元件侧壁21a的蓝宝石基板附近的外周大致1周之扩张部10a形成反射层10。因此，反射层形成面(基板面11b)外周附近的反射层10与基板之密着性藉由形成上述扩张部1Oa而可大幅度补强，且可消除反射层10在以反射层形成面外周附近为起点之剥离现象。因此，即使设置在反射层10黏上黏着片发光元件100固定于黏着片上之工程时也不会发生有反射层剥离之不良品现象。因此，可以大幅度提高为了提高发光效率而设置反射层10之半导体发光元件100的品质或生产性。侧壁21a可以设置为限制反射层10作必要以上扩张之短路防止沟亦可。

主权项

1.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其为,由从第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成的复数的半导体层使结晶成长所积层之发光元件中,其特征为,从前述发光层所放出的光予以反射之反射层形成为前述发光元件一方之面;前述反射层具有藉由将其一部份扩张至前述发光元件的侧壁之一部份而形成之扩张部;如此所成。2.如申请专利范围第1项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述扩张部为,被广泛于前述反射层形成面的外周大致一周所形成者。3.如申请专利范围第1项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述侧壁为,具有限制前述扩张之短路防止沟者。4.如申请专利范围第2项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述侧壁为,具有限制前述扩张之短路防止沟者。5.如申请专利范围第3项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述短路防止沟为,被广泛于前述侧壁的外周大致一周所形成者。6.如申请专利范围第4项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中.前述侧壁为,被广泛于前述侧壁的外周大致一周所形成者。7.如申请专利范围第1项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述反射层为,至少具备有一层金属层之多层构造者。8.如申请专利范围第2项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,前述反射层为,至少具备有一层金属层之多层构造者。9.如申请专利范围第7项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,仅以前述多层构造构成之一部份之层形成前述扩张部者。10.如申请专利范围第8项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,仅以前述多层构造构成之一部份之层形成前述扩张部者。11.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法,其为如申请专利范围第1项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法中,其特征为,将具有复数前述发光元件之半导体晶圆在分割前述发光元件单位之破裂工程后,实施形成前述反射层或前述扩张部之扩张部形成工程,在前述扩张形成工程中,在复数个前述发光元件之配置面上,以1m以上500m以下之间隔配置,藉由蒸着或溅散将复数个发光元件同时广泛形成于上述反射层或上述扩张部。12.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法,其为如申请专利范围第2项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法中,其特征为,将具有复数个前述发光元件之半导体晶圆在分割前述发光元件单位之破裂工程后,实施形成前述反射层或前述扩张部之扩张部形成工程,在前述扩张形成工程中,在复数个前述发光元件之配置面上,以1m以上500m以下之间隔配置,藉由蒸着或溅散将复数个发光元件同时广泛形成于上述反射层或上述扩张部。13.如申请专利范围第11项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法,其中,使用前述蒸着或前述溅散的材料发散源之蒸着源或喷出口的发散位置,及其与前述配置面相对的旋转运动或回动运动之角度变动手段,从前述旋转运动或回动运动的中心轴设定离开前述发散位置。14.如申请专利范围第12项所记载之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件之制造方法,其中,使用前述蒸着或前述溅散的材料发散源之蒸着源或喷出口的发散位置,及其与前述配置面相对的旋转运动或回动运动之角度变动手段,从前述旋转运动或回动运动的中心轴设定离开前述发散位置。图式简单说明:图1是本发明第1实施例第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件100之模式的剖面图。图2是从基板侧(基板面11b侧)看本发明第1实施例黏着工程(划线工程前)半导体晶圆201之模式的平面图。图3是说明本发明第1实施例划线工程之半导体晶圆201模式的剖面图。图4是说明本发明第1实施例破裂工程与扩张工程之半导体晶圆201模式的剖面图。图5是从基板侧(基板面11b侧)看本发明第1实施例扩张工程后(蒸着工程前)半导体晶圆201之模式的平面图。图6是本发明第2实施例第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件101之模式的剖面图。