| 主权项 |
1.一种有机EL元件,其特征系具有一对之空穴注入电极与阴极,这些电极间至少含有具发光功能之有机层,前述有机层具有含共轭聚合物之发光层,此有机层与阴极之间具有含阻塞空穴及搬送电子之导通通道之高电阻的无机电子注入输送层。2.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机电子注入输送层含有作为第1成分之一种以上选自工作函数4eV以下之硷金属元素,硷土类金属元素及镧系元素之氧化物;及含有作为第2成分之一种以上之工作函数3~5eV的金属。3.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中第2成分系选自Zn,Sn,V,Ru,Sm及In中之一种以上。4.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中硷金属元素为Li,Na,K,Rb,Cs及Fr中之一种以上,硷土类金属元素为Mg,Ca及Sr中之一种以上,镧系元素为具有选自La及Ce中之一种以上。5.如申请专利范围第1或2项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机电子注入输送层其电阻率为1~11011.cm。6.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机电子注入输送层之第2成分含有全成分之0.2~40莫耳%。7.如申请专利范围第1或2项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机电子注入输送层之膜厚为0.2~30nm。8.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中前述有机层与空穴注入电极之间含有具闭塞电子及搬送空穴之导通孔之高电阻之无机空穴注入输送层。9.如申请专利范围第8项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机空穴注入输送层之电阻率为1~11011.cm。10.如申请专利范围第8项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机空穴注入输送层含有金属及/或金属之氧化物,碳化物,氮化物,矽化物及硼化物中任一种以上。11.如申请专利范围第8项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机空穴注入输送层系以聚矽氧及/或锗之氧化物为主成分,以(Si1-xGex)Oy表示此主成分时,0≦x≦1.1.7≦y≦2.2更进一步含有工作函数4.5eV以上之金属及/或金属之氧化物,碳化物,氮化物,矽化物及硼化物中之任一种以上。12.如申请专利范围第11项之有机EL元件,其中前述金属为Au,Cu,Fe,Ni,Ru,Sn, Cr,Ir,Nb,Pt,W,Mo,Ta,Pd及Co中之任一种以上。13.如申请专利范围第10项之有机EL元件,其中前述金属及/或金属之氧化物,碳化物,氮化物,矽化物及硼化物之含量为0.2~40莫耳%。14.如申请专利范围第8项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机空穴注入输送层之膜厚为0.2~100nm。图式简单说明:图1系表示本发明之有机EL元件之第1基本构成之概略断面图。图2系表示本发明之有机EL元件之第2基本构成之概略断面图。图3系表示以往之有机EL元件之构成例的概略断面图。图4系表示以往之有机EL元件之其他构成例之概略断面图。 |
