发明名称 ENCAPSULATED TUNGSTEN GATE MOS TRANSISTOR AND MEMORY CELL AND METHOD OF MAKING SAME
摘要
申请公布号 KR20020029772(A) 申请公布日期 2002.04.19
申请号 KR1020027002807 申请日期 2002.02.28
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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