发明名称 Kupferplattierter Leiterrahmen für Halbleiter-Kunststoff-Gehäuse
摘要 Zur Herstellung eines kupferplattierten Leiterrahmens für Halbleiter-Kunststoffbauelemente ist das verwendete Kupferband mit einer bindungsfähigen Oberflächenschicht von elektroplattiertem Kupfer versehen. Das Kupferband wird unmittelbar nach der Plattierung in einer schwachen organischen Zitronensäurelösung passiviert. Vorzugsweise wird das Kupferband ebenfalls gereinigt und passiviert, bevor es elektroplattiert wird. Das passivierte Kupfer wird anschließend thermosonisch mit der Halbleiterbaugruppe verbunden, wozu Golddrähte verwendet werden; vorzugsweise kann diese Verbindung bis zu 144 Stunden nach der oben beschriebenen Vorbereitung durchgeführt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren spart insbesondere die Edelmetallplattierung ein und ist damit kostengünstig. Im übrigen ist die passivierte Kupferoberfläche sehr gut für eine Adhäsion zum Kunststoff bei der Kunststoffeinkapselung geeignet.
申请公布号 DE3828700(C2) 申请公布日期 2002.04.18
申请号 DE19883828700 申请日期 1988.08.24
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP.(N.D.GES.D.STAATES DELAWARE), SANTA CLARA 发明人 MATHEW, RANJAN J.;LANG, BILLY J.
分类号 H01L21/52;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/50 主分类号 H01L21/52
代理机构 代理人
主权项
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