| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서 제 1 도전형의 반도체기판 상에 소자의 활성영역과 필드영역을 한정하는 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 활성영역 상에 게이트절연막을 개재시켜 게이트를 형성하는 공정과, 상기 게이트를 마스크로 사용하여 상기 반도체기판에 제 2 도전형의 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 상에 상기 반도체기판과 열팽창 계수 및 격자 부정합이 작은 절연물질을 상기 필드산화막 및 게이트를 덮도록 증착하여 제 1 층간절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 층간절연층 상에 식각선택비가 다른 절연물질을 증착하여 제 2 층간절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 층간절연층 상에 식각선택비가 다른 절연물질을 증착하여 제 3 층간절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 3, 제 2 및 제 1 층간절연층을 포토리쏘그래피 방법으로 순차적으로 패터닝하여 상기 게이트와 상기 고농도영역을 각각 노출시키는 제 1 및 제 2 접촉홀을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 반도체기판과 질화실리콘이 접촉되지 않으므로 접촉에 의한 스트레스가 발생되지 않아 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수 있다.</p> |
