Verfahren zur Herstellung einer planarisierten Isolation für CMOS-Anordnungen,申请号DE1992632041T-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung einer planarisierten Isolation für CMOS-Anordnungen
摘要
申请公布号	DE69232041(T2)	申请公布日期	2002.04.18
申请号	DE1992632041T	申请日期	1992.10.26
申请人	STMICROELECTRONICS, INC.	发明人	DIXIT, GIRISH ANANT;CHEN, FUSEN E.;MILLER, ROBERT O.
分类号	H01L21/76;H01L21/762;H01L21/763;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/76	主分类号	H01L21/76
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