| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers und einen nach diesem Verfahren hergestellten Halbleiterspeicher |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4340592(C2) |
申请公布日期 |
2002.04.18 |
| 申请号 |
DE19934340592 |
申请日期 |
1993.11.29 |
| 申请人 |
GOLDSTAR ELECTRON CO., LTD. |
发明人 |
GOO, JUNG SUK |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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