发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsanordnungen sowie zugehörige Schaltungsanordnungen, insbesondere Tunnelkontaktelemente |
摘要 |
Die Erfindung betrifft unter anderem ein Verfahren, bei dem auf eine von einer Substratschicht (12) getragene elektrisch leitfähige Kontaktschicht eine elektrisch nicht leitfähige Maskenschicht (16) aufgebracht wird. In die Maskenschicht (16) wird ein Freiraum eingebracht. Anschließend werden im Freiraum elektrochemisch mehrere Schichten (52 bis 60) abgeschieden. Oberhalb der zuletzt abgeschiedenen Schicht (60) werden anschließend Schichten (72 und 76) aufgebracht. In einem Abtragungsprozess wird dann die Maskenschicht (16) bis auf die Höhe der obersten Schicht (76) abgetragen. |
申请公布号 |
DE10048420(A1) |
申请公布日期 |
2002.04.18 |
申请号 |
DE2000148420 |
申请日期 |
2000.09.29 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
WURM, STEFAN;ENGELHARDT, MANFRED |
分类号 |
H01L21/288;H01L21/768;H01L43/12;(IPC1-7):H01L21/288;H01F10/08;H01L27/22 |
主分类号 |
H01L21/288 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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