发明名称 | 晶片抛光装置和抛光方法 | ||
摘要 | 一种晶片抛光装置及其方法,借助消除抛光量的波动能够提高成品率,并且能够防止因反应产品的聚集而发生擦伤和抛光速度的降低。该晶片抛光装置具有旋转抛光床,装在抛光床上的磨料布,用于将磨料供给磨料布表面的磨料供给装置,用于将晶片以预定压力压在磨料布上的晶片压住装置,围绕晶片配置的且在与磨料布接触的表面上装有在内周边缘和外周边缘之间延伸的多个凹槽,用于驱动晶片和磨料布上的护圈的旋转驱动装置,以及用于在晶片和护圈之间提供不同的旋转速度的旋转速度差产生装置。 | ||
申请公布号 | CN1082866C | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
申请号 | CN98111675.2 | 申请日期 | 1998.12.04 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 三桥秀男;大井聪;山森笃;稻叶精一 |
分类号 | B24B29/02;H01L21/463 | 主分类号 | B24B29/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王岳 |
主权项 | 1、一种晶片抛光装置,其特征在于,包括:旋转抛光床;装在所述抛光床上的磨料布;用于将磨料供给所述磨料布表面的磨料供给装置;用于以预定压力将所述晶片压在所述磨料布上的晶片压住装置;配置在所述晶片周围、且装有在与所述磨料布接触的表面上在内周边缘和外周边缘之间延伸的多个凹槽的环形护圈;用于驱动所述晶片和在所述磨料布上的所述护圈的旋转驱动装置;以及用于在所述晶片和所述护圈之间提供不同旋转速度的旋转速度差产生装置。 | ||
地址 | 日本东京都 |