| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，在小尺寸和大的高宽比的接触孔或通孔中，填充含硅量不同的双金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1083152C | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN96123397.4 | 申请日期 | 1996.12.04 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 柳尚澔;金正泰 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在硅衬底上淀积绝缘膜，然后形成接触孔，并在整个结构上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成第一铝合金金属层；以及在所述第一铝合金金属层上形成含硅量为1-1.6％的第二铝金属层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||