发明名称 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法
摘要 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法,主要通过控制原位复合工艺参数,消除Mo、Si和C三元素粉末之间的低温固一固反应,而利用它们之间的固-液反应原位合成MoSi<SUB>2</SUB>-SiC复合粉末,并用二次热压致密该MoSi<SUB>2</SUB>-SiC复合粉末,来制备界面洁净、无SiO<SUB>2</SUB>玻璃相和Mo<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>,Mo<SUB>≤5</SUB>Si<SUB>3</SUB>C<SUB>≤1</SUB>等其他过渡相、细小弥散SiC颗粒增强MoSi<SUB>2</SUB>两相复合材料。使该复合材料在不降低MoSi<SUB>2</SUB>抗高温氧化性的前提下,最大限度地改善MoSi<SUB>2</SUB>-SiC复合材料的低温和高温力学性能,并且工艺易于控制、设备简单。
申请公布号 CN1344810A 申请公布日期 2002.04.17
申请号 CN01141978.4 申请日期 2001.09.26
申请人 北京科技大学 发明人 孙祖庆;张来庆;杨王玥;张跃;傅晓伟
分类号 C22C1/04;C22C29/18 主分类号 C22C1/04
代理机构 北京科大华谊专利代理事务所 代理人 杨玲莉
主权项 1、一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法,MoSi2-SiC复合材料的化学组成按体积百分比为MoSi2-0%SiC~MoSi2-100%SiC,元素粉末的含量按组成该复合材料的化学计量比计算,其特征在于原位反应合成的工艺是:温度1410~1470℃,升温速率≥120℃/min,保温时间0.5~1h。将原位反应合成后的材料破碎成-40~-80目粉末后,进行热压成型,温度1700~1750℃,保温时间1~2h,施加压力30~40MPa,以10~20℃/min的速度降温至400~500℃,最后自然冷却至室温。在热压后的冷却过程中1200~1300℃后逐渐减压。
地址 100083北京市海淀区学院路30号
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