研磨方法和半导体器件制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明提供一种研磨方法和半导体装置制造方法及半导体制造装置，其特征在于，使用散布从氮化硅、碳化硅及碳(石墨)中选择一种材料构成的研磨粒子的研磨剂进行研磨。该研磨剂适用于CMP。在半导体基片上形成与研磨剂相同材料的止磨膜，在研磨剂与止磨膜材料相同的状态下研磨，提高了磨削速度。研磨剂和分散剂分别同时供给加工点，并在加工点上两者混为一体，故研磨剂不会变质。

主权项

1.一种研磨方法，其特征在于，包括：在基片表面上形成由氮化硅构成的止磨膜的工序；在上述止磨膜及上述基片表面上形成被研磨膜的工序；使用散布由氮化硅构成的研磨粒子的研磨剂，对上述被研磨膜进行研磨的工序。