发明名称 |
击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管 |
摘要 |
一种双极绝缘体上硅晶体管,包括具有主表面的衬底(1),所述主表面上的氧化层(2),所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3),延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4),延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5),以及距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6),所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)到达临近所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2),所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下距基区(4)的下表面一段距离沿氧化层(2)的表面横向地向集电区(6)延伸,并且所述插入区电连接到所述基区(4)。 |
申请公布号 |
CN1083162C |
申请公布日期 |
2002.04.17 |
申请号 |
CN96193285.6 |
申请日期 |
1996.04.09 |
申请人 |
艾利森电话股份有限公司 |
发明人 |
A·利特温;T·阿恩博格 |
分类号 |
H01L29/73;H01L27/12;H01L23/58 |
主分类号 |
H01L29/73 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;王岳 |
主权项 |
1.一种双极绝缘依上硅晶体管,包括:-具有主表面的硅衬底(1),-所述主表面上的氧化层(2),-所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3),-延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4),-延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5),以及-距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6)其特征在于,所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)直至相对于所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2),所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下沿所述氧化层(2)的表面横向地向距基区(4)一段距离的所述集电区(6)延伸,并且所述插入区电连接到所述基区(4)。 |
地址 |
瑞典斯德哥尔摩 |