| 发明名称 | 氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有多量子阱结构激活层的第一氮化物半导体光发射器件,该器件具有改进的发光强度和优良的耐静电压特性,从而能把应用扩展到多种产品中。激活层7是由包含In<SUB>a</SUB>Ga<SUB>l－a</SUB>N(0≤a<1)的多个量子阱结构构成。在包含p型杂质的激活层上形成p覆层8。p覆层8是由包括含Al的第一氮化物半导体膜和具有不同于所述第一氮化物半导体膜成分的第二氮化物半导体膜的多膜层构成。做为选择,p覆层8是由Al<SUB>b</SUB>Ga<SUB>l－b</SUB>N(0≤b≤1)制成的单一分层的层构成。在p覆层8上生成p型杂质浓度比p覆层8低的低掺杂层9。在低掺杂层9上生长p型杂质浓度比p覆层8和低掺杂层9高的p接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN1345468A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN00805569.6 | 申请日期 | 2000.03.27 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 谷沢公二 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体器件，它包括基片和介于所述基片和一激活层之间的n区氮化物半导体分层结构，其特征在于：所述多量子阱结构的激活层包含InaGa1-aN(0≤a＜1)；在所述激活层上形成的p型多膜层，所述p型多膜层包括：包含Al的第一氮化物半导体膜，具有与所述第一氮化物半导体膜的成分不同成分的第二氮化物半导体膜，至少所述第一和第二氮化物半导体膜之一含有p型杂质；在所述p型多膜层上形成的p型低掺杂层，它具有比所述p型多膜层低的p型杂质浓度；以及在所述p型低掺杂层上形成的p接触层，它具有比所述p型多膜层更高的p型杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||