发明名称 | 存储器装置及其制造方法和集成电路 | ||
摘要 | 提供一种能够精确读取数据的存储器装置、该存储器装置的制造方法、以及集成电路。第一控制电极实质上与第二控制电极相面对,传导区和存储区位于其间。在“数据读取”的同时,电势被施加到第一控制电极。在“数据读取”期间,防止了传导区和存储区之间的电势变化,因此防止了信息的无意写入或擦除,从而能够精确地读取写入的信息。 | ||
申请公布号 | CN1345093A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
申请号 | CN01141281.X | 申请日期 | 2001.08.01 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 野本和正;川岛纪之;藤原一郎;平健一 |
分类号 | H01L27/10;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种存储器装置,包括:绝缘材料制成的底层部分;设置在底层部分表面上的第一控制电极;半导体材料制成的传导区,与第一控制电极对应设置;设置在与设置第一控制电极的区相对的区内的第二控制电极,传导区位于第一和第二控制电极之间;与传导区相邻设置的第一杂质区;远离第一杂质区并与传导区相邻设置的第二杂质区;设置在第一控制电极和传导区之间的区域内或第二控制电极和传导区之间的区域内的存储区,该存储区用于存储从传导区传输的电荷;设置在存储区和传导区之间的区域内的一个隧道绝缘膜;设置在第一控制电极和传导区之间的第一控制绝缘膜;设置在第二控制电极和传导区之间的第二控制绝缘膜。 | ||
地址 | 日本东京 |