| 发明名称 | 磁头驱动电路与磁记录装置 | ||
| 摘要 | 磁头驱动电路(15)包括控制电路(20)与开关电路(30),前者用以接收利用磁性在记录介质上进行磁记录的记录信号,并基于该记录信号产生控制信号,后者包括用于根据从所述控制电路接收的控制信号转换流过磁头(14)的励磁线圈(16)的电流的方向的开关FET(31)～(34)。PchFET(31)、(32)与NchFET(33)、(34)二者均被用作开关FET。开关FET的栅极电压的最大值低于提供流过励磁线圈(16)的电流的线圈电源电压(Vd)而高于开关FET的栅极阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1345443A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN00805539.4 | 申请日期 | 2000.03.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 峰近重和 |
| 分类号 | G11B5/09 | 主分类号 | G11B5/09 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;傅康 |
| 主权项 | 1.一种磁头驱动电路，它包括接收利用磁性在记录介质上进行磁记录的记录信号、并基于所述记录信号产生控制信号的控制电路(20)和基于从所述控制电路(20)接收的控制信号、转换磁头励磁线圈中通过电流方向的开关电路(30)，所述开关电路(30)包括进行所述转换的开关FET(场效应晶体管)；其特征在于：P沟道FET和N沟道FET二者均被用作所述开关电路(30)的所述开关FET；施加于所述开关FET的所述栅极上的所述栅电压的最大值，低于供给通过所述励磁线圈的所述电流的线圈电源的电压，且高于所述开关FET的所述栅阈值电压。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||