具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器

摘要

集成存储器的存储单元具有各一个铁电存储器晶体管(T)。位线(BLi)和控制线(Ci)垂直与字线(WLi)分布。每个存储器晶体管(T)的可控制区间使位线(BLi)中一个与控制线(Ci)中一个连接。每个存储器晶体管(T)的控制电极与字线(WLi)中一个连接。

主权项

1.集成存储器，—具有存储单元，该存储单元具有各一个铁电存储器晶体管(T)，其控制电极包含一个铁电层，该层至少可以接受二个不同的极化状态，—具有字线(WLi)，其主要分布在第一方向上，—具有位线(BLi)，其主要分布在垂直于第一方向的第二方向上，—具有控制线(Ci)，—在该存储器中每个存储器晶体管(T)的可控制区间使位线(BLi)中的一个与控制线(Ci)中的一个连接—在该存储器中每个存储器晶体管(T)的控制电极与字线(WLi)中的一个连接，并且—在该存储器中控制线(Ci)主要分布在第二方向上，其特征在于，—控制线(Ci)中的一个分别布置在位线(BLi)中的每二个位线之间，控制线分别经过多个存储器晶体管(T)的可控制区间与位线连接，—平行于位线(BLi)和控制线(Ci)布置存储器晶体管(T)的可控制区间，并且—与相同位线(BLi)连接的存储器晶体管(T)分别具有公共的源极区/漏极区。