发明名称 | 磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置 | ||
摘要 | 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液,对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH<SUB>3</SUB>气体,以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着,于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。 | ||
申请公布号 | CN1345096A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
申请号 | CN01141187.2 | 申请日期 | 2001.09.29 |
申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 樋口晋;鈴木由佳里;川崎真;相原健 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
主权项 | 1.一种磷化镓发光组件的制造方法,系具有一磷化镓层之液相磊晶生长制程;其特征在于,前述液相磊晶生长制程,系包含一以氨气为氮源使用之氮掺杂之磷化镓层之生长制程,在该氮掺杂之磷化镓层生长之际,让前述液相磊晶生长暂时停止,在该状态下将前述周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。 | ||
地址 | 日本东京 |