发明名称 |
多官能硅基低聚物/聚合物纳米孔二氧化硅薄膜的表面改性中的应用 |
摘要 |
一种用于处理在基片上的二氧化硅薄膜的方法,该方法包括使合适的二氧化硅薄膜与有效量的表面改性剂反应,其中二氧化硅薄膜存在于基片上。该反应在足以使表面改性剂在薄膜上形成疏水涂层的适当条件和时间内进行。表面改性剂含有至少一种能与二氧化硅薄膜上的硅烷醇反应的低聚物或聚合物。本发明还公开包括这种薄膜的介电薄膜和集成电路。 |
申请公布号 |
CN1345464A |
申请公布日期 |
2002.04.17 |
申请号 |
CN00805497.5 |
申请日期 |
2000.01.26 |
申请人 |
联合讯号公司 |
发明人 |
H·J·吴;J·S·德拉格 |
分类号 |
H01L21/3105;C01B33/159 |
主分类号 |
H01L21/3105 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢新华;罗才希 |
主权项 |
1.一种处理基片上二氧化硅薄膜的方法,该方法包括使合适的二氧化硅薄膜与含有表面改性剂的组合物反应,其中所述二氧化硅薄膜存在于基片上,并且其中所述反应在足以使所述表面改性剂在所述薄膜上生成疏水涂层的条件和时间下进行,所述表面改性剂含有至少一类能与所述二氧化硅薄膜上的硅烷醇反应的低聚物或聚合物。 |
地址 |
美国新泽西州 |