| 发明名称 | 具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层,基本没有相分离的InGaAlN活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。 | ||
| 申请公布号 | CN1345474A | 申请公布日期 | 2002.04.17 |
| 申请号 | CN00805557.2 | 申请日期 | 2000.03.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高山彻;马场孝明;詹姆斯·S·哈里斯,Jr· |
| 分类号 | H01S5/323;H01L33/00;H01L31/0304 | 主分类号 | H01S5/323 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国平 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：具有第一导电型的、InGaAlN材料的第一包复层，InGaAlN活性层，和与第一导电型相反导电型的第二包复层，对各层组成部分的摩尔份数进行选择，以使相分离最小化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||