化学气相沉积装置和化学气相沉积方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积

主权项

1.一种用于半导体膜的化学气相沉积装置，所述装置包括水平管式反应器，所述反应器装有用于在其上安装基体的基座、用于加热所述基体的加热器、原料气体引入部分，其设置使得在管式反应器中提供的原料气体的方向与所述基体基本上平行、反应气体排出部分、和在与基体相对的管式反应器壁上的强制气体引入部分，其中使从强制气体引入部分向管式反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在强制气体引入部分的圆周部分的对应流速。