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发明名称 FLASH MEMORY CELL STRUCTURE WITH IMPROVED CHANNEL PUNCH-THROUGH CHARACTERISTICS
摘要
申请公布号 SG87938(A1) 申请公布日期 2002.04.16
申请号 SG20010004124 申请日期 2001.07.11
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD 发明人 CHAN TZE HO (SIMON);TYRONE PHILIP STODART;KIM SUNG RAE;LIN YUNG-TAO
分类号 H01L21/265;H01L21/336;H01L29/788;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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