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发明名称 A METHOD OF FABRICATING CMOS DEVICES FEATURING DUAL GATE STRUCTURES AND A HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATOR LAYER
摘要
申请公布号 SG87934(A1) 申请公布日期 2002.04.16
申请号 SG20010003338 申请日期 2001.06.05
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 CHER LIANG CHA, RANDALL;ALEX SEE;LAP CHAN
分类号 H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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