| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING WEDGE ISOLATION TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG87891(A1) |
申请公布日期 |
2002.04.16 |
| 申请号 |
SG20000001832 |
申请日期 |
2000.03.30 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
QUEK SHYUE-FONG;ANG TING CHEONG;LOONG SANG YEE;SONG JUN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8238;H01L29/08;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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