| 摘要 |
<p>신뢰성 있는 반도체 소자를 제조하기 위한 폴리실리콘층 식각방법에 관해 개시하고 있다. 본 발명은, 벌크 트랜지스터의 게이트 전극으로 사용되어지거나 반도체 메모리 장치의 커패시터용 하부전극으로 사용되어지는 폴리실리콘층 식각방법에 있어서, 폴리실리콘층을 증착한 후에 상기 폴리실리콘층을 수소 포함 기체의 플라즈마 또는 중수소 포함 기체의 플라즈마로 처리하는 단계와; 상기 플라즈마 처리된 폴리실리콘층을 건식식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 댕글링 본드에 의해 야기되는 불균일한 폴리실리콘층 식각현상을 방지할 수 있다.</p> |
