发明名称 形成具有抗蚀刻效应之光阻的方法
摘要 形成具抗蚀刻效应之光阻的方法,至少包括:提供底材;形成其有图案之光阻在底材上;放置底材与光阻于低压环境;以电子束照射光阻使得至少部份光阻被固化。本发明通常是在蚀刻程序前进行,但也可以扩展到一面进行蚀刻程序一面以电子束照射光阻,而也可以扩展到交替地进行蚀刻程序与以电子束照射光阻。
申请公布号 TW483048 申请公布日期 2002.04.11
申请号 TW090111415 申请日期 2001.05.14
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张庆裕
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈达仁 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一种形成具抗蚀刻效应之光阻的方法,至少包括:提供一底材;形成一光限于一底材上,该光阻具有一图案;放置该底材与该光阻于一低压环境,使得电子束可以有效地照射该光阻;以及以一电子束照射该光阻,使得至少部份之该光阻被固化。2.如申请专利范围第1项之方法,该低压环境的压力大约小于500torr。3.如申请专利范围第1项之方法,该低压环境的压力大约为0.1torr到1torr。4.如申请专利范围第1项之方法,该电子束的功率大约大于100meV。5.如申请专利范围第1项之方法,被固化之部份该光阻的厚度大约为该光阻厚度的一百分之一。6.如申请专利范围第1项之方法,当该光阻之表面固化后即可停止以该电子束照射该光阻。7.如申请专利范围第1项之方法,当该光阻被固化部份的厚度可以使得在随后进行之一蚀刻程序中该光阻的该图案不会被改变,即可停止以该电子束照射该光阻。8.一种以具抗蚀刻性光阻进行蚀刻的方法,至少包括:提供一底材,一已图案化光阻位于该底材上;以及同时对该底材与该光阻执行一电子束固化程序与一蚀刻程序,该电子束固化程序系以一电子束照射该已图案化光阻,而该蚀刻程序系以该已图案化光阻为一幕罩。9.如申请专利范围第8项之方法,系先将该底材放置于一低压环境再进行该电子束照射程序与该蚀刻程序。10.如申请专利范围第8项之方法,当该已图案化光阻表面固化后即可停止以该电子束照射该光阻。11.如申请专利范围第10项之方法,被固化之部份该已图案化光阻厚度约为该已图案化光阻厚度的百分之一。12.如申请专利范围第8项之方法,当该光阻被固化部份的厚度可以使得在该蚀刻程序中该光阻的该图案不会被改变,即可停止以该电子束照射该光阻。13.一种以具抗蚀刻性光阻进行蚀刻的方法,至少包括:提供一底材,一已图案化光阻位于该底材上;以及交替地对该底材与该光阻执行一电子束固化程序与一蚀刻程序,该电子束固化程序以一电子束照射该已图案化光阻,而该蚀刻程序以该已图案化光阻为一幕罩。14.如申请专利范围第13项之方法,系先将该底材放置于一低压环境再进行该电子束照射程序与该蚀刻程序。15.如申请专利范围第13项之方法,任一次该电子束固化程序并不需要使得该已图案化光阻表面被完全固化。16.如申请专利范围第13项之方法,任一次该蚀刻程序并不需要使得该图案被完全转移至该底材。17.如申请专利范围第13项之方法,任一次该电子束固化程序仅需使得该已图案化光阻被固化部份的厚度可以在随后进行之一次该蚀刻程序中使得该已图案化光阻的一图案不会被改变。图式简单说明:第一A图至第一D图系用以显示蚀刻过程中光阻也会被移除所产生影响的横截面示意图;第一E图至第一F图为习知技术使用深紫外光固化光阻之方法的横截面示意图;第二A图至第二B图为本发明一较佳实施例之基本步骤的横截面示意图;以及第三A图与第三B图为本发明之其它二个较佳实施例的基本流程示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行路十六号