| 主权项 |
1.一种在整个不同沟渠密度之区域形成均匀深度之凹槽的方法,其步骤包含:提供一具有沟渠形成在其中之基板,该基板包含不同沟渠密度之区域;用第一填充物材料填满该沟渠;自该基板表面移除该第一填充物材料;在该基板表面上,形成第二填充物材料,使得第二填充物材料之深度,在整个不同沟渠密度之区域,大致上都很均匀;及在该沟渠中形成凹槽,使得在该基板表面下之凹陷深度,在整个不同沟渠密度之区域,大致上都很均均。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料具有相同的蚀刻速率。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料包含相同的材料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料包含光阻材料。5.如申请专利范围第1项之方法,其中自该基板表面移除该第一填充物材料之步骤,包含蚀刻该第一填充物材料之步骤,以在具有最高沟渠密度之区域的沟渠中,形成凹槽。6.如申请专利范围第1项之方法,其中移除该第一填充物材料之步骤,包含采用等向性蚀刻,非等向性蚀刻和显影制程的其中之一,蚀刻该第一填充物材料。7.如申请专利范围第1项之方法,其中在该沟渠中形成凹槽之步骤,包含采用等向性蚀刻,非等向性蚀刻和显影制程的其中之一,蚀刻该第一和第二填充物材料。8.如申请专利范围第1项之方法,其中提供一具有沟渠形成在其中之基板的步骤,包含提供一具有不同沟渠密度之区域的单晶基板。9.如申请专利范围第1项之方法,其中提供一具有沟渠形成在其中之基板的步骤,包含提供一具有不同沟渠密度之区域的介电质层。10.如申请专利范围第1项之方法,其中提供一具有沟渠形成在其中之基板的步骤,具有不同沟渠密度之区域的基板,包含提供具有第一沟渠密度之阵列区和具有第二沟渠密度之支援区的步骤。11.一种在整个不同沟渠密度之区域形成均匀深度之凹槽的方法,其步骤包含:提供一具有沟渠形成在其中之基板,该基板至少包含两个区域,该至少两个区域的每一个区域都具有不同的沟渠密度;在该基板上,形成第一填充物材料,该第一填充物材料填满在该至少两个区域中之该沟渠,在具有不同沟渠密度之基板上,该第一填充物材料有一深度;蚀刻该第一填充物材料,使大致上移除在基板表面上的该第一填充物材料,而保留由第一填充物材料大致上填满之沟渠;在该基板上,形成第二填充物材料,且再次填满在该至少两个区域中之该沟渠,在整个该至少两个不同沟渠密度之区域,在该基板上之该第二填充物材料具有大致均匀之深度;及蚀刻该第一和第二填充物材料,以在该沟渠中形成凹槽,在整个该至少两个不同沟渠密度之区域,该凹槽具有大致相同的深度。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料具有相同的蚀刻速率。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料包含相同的材料。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一填充物材料和该第二填充物材料包含光阻材料。15.如申请专利范围第11项之方法,其中蚀刻该第一填充物材料之步骤,包含蚀刻该第一填充物材料,以在具有最高沟渠密度之区域的沟渠中,形成凹槽。16.如申请专利范围第11项之方法,其中蚀刻该第一填充物材料之步骤,包含采用等向性蚀刻,非等向性蚀刻和显影制程的其中之一,蚀刻该第一填充物材料。17.如申请专利范围第11项之方法,其中蚀刻该第一和第二填充物材料,以在该沟渠中形成凹槽之步骤,包含采用等向性蚀刻,非等向性蚀刻和显影制程的其中之一,蚀刻该第一和第二填充物材料。18.如申请专利范围第11项之方法,其中提供一具有沟渠形成在其中之基板的步骤,包含提供一具有不同沟渠密度之区域的单晶基板。19.如申请专利范围第11项之方法,其中提供一具有沟渠形成在其中之基板的步骤,包含提供一具有不同沟渠密度之区域的介电质层。20.如申请专利范围第11项之方法,其中该至少两个不同沟渠密度之区域,包含具有第一沟渠密度之阵列区和具有第二沟渠密度之支援区。图式简单说明:第1图为根据本发明,具有第一填充物材料沉积在其上,以填满在不同沟渠密度之区域中的沟渠之横截面图;第2图为根据本发明,自整个不同沟渠密度之区域的基板表面,大致上移除第一填充物材料之图1半导体元件的横截面图;第3图为根据本发明,在整个不同沟渠密度之区域的基板上,形成第二填充物材料之图1半导体元件的横截面图;及第4图为根据本发明,蚀刻第3图半导体元件之第一填充物材料和第二填充物材料,以在沟渠之填充物材料中形成具有大致均匀深度之凹槽的横截面图。 |
