| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体之制程,包括:提供一基底,该基底上已依序形成有一闸介电层与一多晶矽层;进行一氮离子植入步骤,将氮离子植入该多晶矽层与该闸介电层接触之区域中;进行一回火步骤以增大该多晶矽层中之晶粒;图案化该多晶矽层以形成一闸极;以及于该闸极两侧形成一源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之制程,其中该源极/汲极区中之一掺质系选自于硼离子、砷离子与磷离子所组成之族群其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之制程,其中该闸介电层之材质包括二氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之制程,其中图案化该多晶矽层之步骤系在该氮离子植入步骤之后,且在该回火步骤之前。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之制程,其中图案化该多晶矽层之步骤系在该氮离子植入步骤之前。6.一种金氧半电晶体之闸极制程,包括:提供一基底,该基底上已依序形成有一闸介电层与一多晶矽层;进行一氮离子植入步骤,将氮离子植入该多晶矽层与该闸介电层接触之区域中;进行一回火步骤以增大该多晶矽层中之晶粒;以及图案化该多晶矽层以形成一闸极。7.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体之闸极制程,其中该闸介电层之材质包括二氧化矽。8.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体之闸极制程,其中图案化该多晶矽层之步骤系在该氮离子植入步骤之后,且在该回火步骤之前。9.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体之闸极制程,其中图案化该多晶矽层之步骤系在该氮离子植入步骤之前。图式简单说明:第1图至第2图所示为本发明之一较佳实施例之金氧半电晶体之制程的流程剖面图。 |
