| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有一闸极接线,一源极接线,及一像素电极,其特征在于包含:形成在一绝缘表面上的该闸极接线;形成在该闸极接线上的一绝缘膜;形成在该绝缘膜上的一非晶半导体膜;形成在该非晶半导体膜上的一源极区域及一汲极区域;形成在该源极区域或该汲极区域上的该源极接线或一电极;及形成在该电极上的该像素电极;其中该汲极区域或该源极区域的一端面位在与该非晶半导体膜的一端面及该电极的一端面大致重合的位置处。2.一种半导体装置,具有一闸极接线,一源极接线,及一像素电极,其特征在于包含:形成在一绝缘表面上的该闸极接线;形成在该闸极接线上的一绝缘膜;形成在该绝缘膜上的一非晶半导体膜;形成在该非晶半导体膜上的一源极区域及一汲极区域;形成在该源极区域或该汲极区域上的该源极接线或一电极;及形成在该电极上的该像素电极;其中该汲极区域或该源极区域的一端面位在与该非晶半导体膜的一端面及该电极的一端面大致重合的位置处,并且其另一端面位在与该像素电极的一端面及该电极的另一端面大致重合的位置处。3.一种半导体装置,具有一闸极接线,一源极接线,及一像素电极,其特征在于包含:形成在一绝缘表面上的该闸极接线;形成在该闸极接线上的一绝缘膜;形成在该绝缘膜上的一非晶半导体膜;形成在该非晶半导体膜上的一源极区域及一汲极区域;形成在该源极区域或该汲极区域上的该源极接线或一电极;及形成在该电极上的该像素电极;其中该非晶半导体膜及含有给予n型的一杂质元素的一非晶半导体膜堆叠在该源极接线的下方。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该源极区域及该汲极区域是由含有给予n型的一杂质元素的一非晶半导体膜构成。5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该绝缘膜,该非晶半导体膜,该源极区域,及该汲极区域是在未暴露于大气空气之下连续地形成。6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该绝缘膜,该非晶半导体膜,该源极区域,或该汲极区域是藉着溅射制程而形成。7.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该绝缘膜,该非晶半导体膜,该源极区域,或该汲极区域是藉着电浆CVD制程而形成。8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该闸极接线是由主要组份是从Al,Ti,Mo,W,Ta,Nd,及Cr之间选择的元素的膜,上述元素的合金膜,或上述膜的多层膜构成。9.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该源极区域及该汲极区域是藉着与该非晶半导体膜及该电极相同的掩模而形成。10.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该源极区域及该汲极区域是藉着与该源极接线相同的掩模而形成。11.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该源极区域及该汲极区域是藉着与该源极接线及该像素电极相同的掩模而形成。12.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中邻接该源极区域及该汲极区域的该非晶半导体膜的区域的膜厚度大于位在邻接该源极区域的该区域与邻接该汲极区域的该区域之间的该非晶半导体膜的区域的膜厚度。13.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该半导体装置为该像素电极是由一透明导电膜构成的透射型液晶显示装置。14.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该半导体装置为该像素电极是由主要组份为Al或Ag的膜或Al及Ag的多层膜构成的反射型液晶显示装置。15.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的半导体装置,其中该半导体装置为个人电脑,摄影机,可携式资讯终端机,数位相机,数位影碟播放机,或电子游戏设备。16.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包含:藉着采用一第一掩模而形成每一闸极接线的第一步骤;形成覆盖该闸极接线的一绝缘膜的第二步骤;在该绝缘膜上形成一第一非晶半导体膜的第三步骤;在该第一非晶半导体膜上形成含有给予n型的杂质元素的一第二非晶半导体膜的第四步骤;在该第二非晶半导体膜上形成一第一导电膜的第五步骤;藉着采用一第二掩模来以使得该第一非晶半导体膜,该第二非晶半导体膜,及该第一导电膜被选择性地移除的方式形成一源极接线及一电极的第六步骤;形成铺设在该源极接线及该电极上而与二者接触的一第二导电膜的第七步骤;及藉着采用一第三掩模来以使得该第一非晶半导体膜,该第二非晶半导体膜,该第一导电膜,及该第二导电膜的一部份被选择性地移除的方式形成由该第二非晶半导体膜构成的一源极区域及一汲极区域,以及由该第二导电膜构成的一像素电极。17.如申请专利范围第16项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二步骤至该第五步骤是在不暴露于大气空气之下连续地实施。18.如申请专利范围第16项或第17项所述的半导体装置的制造方法,其中该绝缘膜是藉着溅射制程而形成。19.如申请专利范围第16项或第17项所述的半导体装置的制造方法,其中该第一非晶半导体膜是藉着溅射制程而形成。20.如申请专利范围第16项或第17项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二非晶半导体膜是藉着溅射制程而形成。21.如申请专利范围第16项或第17项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二步骤至该第五步骤是在一相同容室内连续地实施。22.如申请专利范围第16项所述的半导体装置的制造方法,其中该绝缘膜是藉着电浆CVD制程而形成。23.如申请专利范围第16项或第22项所述的半导体装置的制造方法,其中该第一非晶半导体膜是藉着电浆CVD制程而形成。24.如申请专利范围第16项或第22项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二非晶半导体膜是藉着电浆CVD制程而形成。25.如申请专利范围第16项或第22项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二导电膜为透明导电膜。26.如申请专利范围第16项或第22项所述的半导体装置的制造方法,其中该第二导电膜为具有一反射率的导电膜。图式简单说明:图1为显示本发明的顶部平面的视图。图2A-D为显示制造AM-LCD的步骤的剖面图。图3A、B为显示制造AM-LCD的步骤的剖面图。图4为显示制造AM-LCD的步骤的顶视图。图5为显示制造AM-LCD的步骤的顶视图。图6为用来说明液晶显示装置的像素部份及输入端子部份的配置的顶视图。图7为显示液晶显示装置的封装结构的剖面图。图8为显示制造AM-LCD的步骤的剖面图。图9A-F为显示电子设备的例子的视图。图10A-D为显示电子设备的例子的视图。图11A-C为显示电子设备的例子的视图。 |
