| 主权项 |
1.一种在钛膜上形成TiN膜的方法,该方法包含将钛膜暴露于氢电浆一段有效的时间以移除该钛膜表面上残余的卤化物;以电浆增强化学气相沈积法沈积一层氮化钛于该钛膜上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该钛膜以钛的卤化物之电浆增强化学气相沈积法形成于基板上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该钛膜暴露于该氢电浆30至90秒的时间。4.如申请专利范围第3项之方法,其中,该电浆包含95至99%的氢气。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该电浆包含选自氩及氦组成的群类之稀薄气体。6.如申请专利范围第3项之方法,其中,该钛膜于约从400至450℃的温度暴露于该电浆中。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该基板包含铝。8.一种在基板上形成钛/氮化钛膜积层的方法,该基板包含至少部分的铝,该方法包含:(a)以四氯化钛的电浆增强化学气相沈积法将钛膜沈积于该基板上;(b)将该钛膜暴露于氢/氢电浆,时间为30至90秒,温度约400至450℃。(c)在含氮气体中以四氯化钛的电浆增强化学气相沈积法将氮化钛膜沈积于该钛膜上,温度约小于450℃。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含该钛膜暴露于氨电浆中。10.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含该氮化钛膜暴露于该氨电浆中。11.一种降低钛膜之氯含量的方法,该钛膜以四氯化钛的化学气相沈积法形成,该方法包含将该钛膜暴露于氢气电浆中。图式简单说明:图1为部分剖面的侧视图,其为本发明所使用之蒸镀腔。图2为无经氢/氩电浆处理的钛/氮化钛积层膜的AES深度曲线。图3为经氢/氩电浆处理的钛膜的AES深度曲线。 |
