| 主权项 |
1.一种固态影像检取装置,由形成于一半导体基板上的一光电转换部与一逻辑电路部所构成,该光电转换部具有一光电转换区域,且输出一由产生于该光电转换区域中之电荷所造成的电位变化;该固态影像检取装置并包含:一挡光层,用以覆盖该逻辑电路部;以来一挡光膜,用以界定该光电转换区域上之光束入射区域,其中对于该半导体基板与该挡光层而言,该挡光膜系设置于一较接近该半导体基板之高度。2.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光膜系于该光束入射方向上,位于该挡光层与该光电转换区域间之一中间位置。3.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光膜系设置以覆盖该光电转换部,且使挡光状态连续于该光电转换部与该逻辑电路部间之边界部。4.如申请专利范围第3项之固态影像检取装置,其中该挡光膜与该挡光层系以使挡光状态连续于该边界部之方式相互连接。5.如申请专利范围第3项之固态影像检取装置,其中该挡光膜与该挡光层具有一可于平面上重叠的重叠部,以使挡光状态连续于该边界部。6.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光膜系藉由组合复数层而覆盖该光电转换部。7.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光膜系藉由组合复数层而界定该光电转换区域上之光束入射区域。8.如申请专利范围第6项之固态影像检取装置,其中该复数个挡光膜系设置以使挡光状态连续于其边界部。9.如申请专利范围第8项之固态影像检取装置,其中该复数个挡光膜中之每一个具有一可于平面上重叠的重叠部,以使挡光状态连续于其边界部。10.如申请专利范围第6项之固态影像检取装置,其中该复数个挡光膜具有一具有一有关该挡光层之边界部的部分,以及一界定该光电转换区域上之光束入射区域的部分,设置于一较接近该半导体基板之位置处。11.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光层系由一具有低透光性或高光吸收性的材料所形成,使得其挡光性质足够高。12.如申请专利范围第1项之固态影像检取装置,其中该挡光膜系于相同于该逻辑电路部之制造步骤的制程中所制造。图式简单说明:图1系显示依据本发明之固态影像检取装置之第一实施例之剖面图;图2A至2B系显示图1中之光电转换区域与挡光膜之放大剖面图;图3系显示挡光膜与其开孔之放大剖面图;图4系显示一连接部设于依据本发明之固态影像检取装置之第一实施例中之状态之剖面图;图5系显示挡光层之位置不同于依据本发明第一实施例之剖面图;图6系显示一连接部设于图5中之状态之剖面图;图7系显示依据本发明之固态影像检取装置之第二实施例之剖面图;图8系显示一连接部设于依据本发明之固态影像检取装置之第二实施例中之状态之剖面图;图9系显示依据本发明之固态影像检取装置之第三实施例之剖面图;图10系显示配线层之排列不同于依据本发明之固态影像检取装置之第三实施例之状态之剖面图;图11系显示依据本发明之固态影像检取装置之第四实施例之剖面图;图12系显示固态影像检取装置中之影像感测器部与逻辑电路部之平面图;图13系显示固态影像检取装置之一例子之剖面图;图14A至14C系显示固态影像检取装置之剖面图及显示操作状态中电位之图;以及图15系显示固态影像检取装置之一例子之剖面图。 |
