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1.一种全氟化碳之处理方法,系使用于半导体装置等的制程的全氟化碳之处理方法,其特征为:令在于减压气相下被使用过的前述全氟化碳(PFC)经由真空泵浦而移行到大气压气相下之后,将反应材料加入到这个全氟化碳中,并对于由前述全氟化碳与前述反应材料所组成的混合气体实施电浆处理,以使得前述全氟化碳与前述反应材料一起产生聚合体。2.如申请专利范围第1项之全氟化碳之处理方法,其中前述反应材料系链烷烃碳化氢气体或乙醇。3.一种全氟化碳之处理方法,系使用于半导体装置等的制程的全氟化碳之处理方法,其特征为:令在于减压气相下被使用过的前述全氟化碳(PFC)经由真空泵浦而移行到大气压气相下之后,将水及/或氧加入到这个全氟化碳中,并实施电浆处理,以将前述全氟化碳予以分解。4.一种全氟化碳之处理装置,系用来设置在被连接于制造半导体装置等时使用全氟化碳的真空室的真空泵浦的后段之全氟化碳之处理装置,其特征为:该处理装置具有:对于经由该真空泵浦而被排放到大气压气相下的前述全氟化碳照射电浆的电浆处理部;和设在该电浆处理部的前段,将反应材料加入到前述全氟化碳以产生混合气体的反应剂供给部;在大气压气相下对于前述混合气体实施电浆处理,以使得前述全氟化碳与前述反应材料一起产生聚合体。5.如申请专利范围第4项之全氟化碳之处理装置,其中前述反应材料系链烷烃碳化氢气体或乙醇。6.一种全氟化碳之处理装置,系用来设置在被连接于制造半导体装置等时使用全氟化碳的真空室的真空泵浦的后段之全氟化碳之处理装置,其特征为:该处理装置具有:对于经由该真空泵浦而被排放到大气压气相下的前述全氟化碳照射电浆的电浆处理部;和设在该电浆处理部的前段,将水及/或氧加入到前述全氟化碳的反应剂供给部;在大气压气相下对于含前述水及/或氧的前述全氟化碳实施电浆处理,以将前述全氟化碳予以分解。7.如申请专利范围第4项之全氟化碳之处理装置,其中系在前述电浆处理部的后段设置旋风式集尘机,可利用前述旋风式集尘机来回收前述聚合体。8.如申请专利范围第7项之全氟化碳之处理装置,其中系在供堆积前述聚合体的前述旋风式集尘机的底部设置一对开闭式的隔板,以将前述底部作成双层室构造,并利用前述隔板的开闭动作,来同时进行堆积和回收前述聚合体的工作。图式简单说明:第1图是显示本实施形态的全氟化碳之处埋装置的构造的说明图。第2图(A)-(C)是采用旋风式集尘机当作聚合体回收部20的情况的动作说明图。第3图是显示本实施形态的全氟化碳之处理装置的应用例的构造说明图。第4图(A)和(B)是显示传统的半导体装置的制造装置的构造说明图。 |
