| 主权项 |
1.一种半导体封装件,系包括:一晶片,具有一作用表面与一相对之非作用表面,且具有多数焊垫于该作用表面上;一胶层,黏贴于该晶片之作用表面上不影响该等焊垫布局之位置处;一金属层,由多数导电迹线构成,且黏贴于该胶层上,使该金属层为该胶层承载于该晶片之作用表面上;多数焊线,用以连接该等焊垫与该等导电迹线,使该晶片与该金属层电性连接;多数导电凸块,接置于该金属层之导电迹线上不影响与该等焊线连接之位置处;以及一第一胶体,形成于该晶片之作用表面上,使得包覆住该等焊垫、该金属层、该等焊线及该等导电凸块,且使各该导电凸块之端部外露出该第一胶体,并使得该等导电凸块之端部与该第一胶体之外表面形成一共平面。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,复包括一形成于该晶片之非作用表面上之第二胶体。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,复包括一接置于该晶片之非作用表面上之散热片。4.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该胶层系为树脂。5.如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中,该树脂系为聚亚醯胺。6.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该金属层系以铜制成者。7.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该等焊线系为金线。8.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该等导电凸块系由导电性金属制成之焊球。9.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该等导电凸块系由导电性金属制成之焊接凸块。10.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该第一胶体系以树脂化合物制成者。11.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该第二胶体系以树脂化合物制成者。12.一种半导体封装件之制法,系包括下列步骤:提供一晶元,系由多数晶片构成,该晶元具有一作用表面与一相对之非作用表面,且具有多数焊垫于该作用表面上;黏贴一胶层于该晶元之作用表面上;黏贴一金属层于该胶层上,使该金属层为该胶层承载于该晶元之作用表面上;蚀刻该金属层及该胶层,使得该晶元之作用表面上之该等焊垫外露出该金属层及该胶层,同时使得该金属层形成有多数导电迹线;以多数焊线连接该等焊垫与该等导电迹线,使该晶元与该金属层电性连接;接置多数导电凸块于该金属层之导电迹线上不影响与该等焊线连接之位置处;形成一第一胶体于该晶元之作用表面上,使得包覆住该等焊垫、该金属层、该等焊线及该等导电凸块,且使各该导电凸块之端部外露出该第一胶体,并使得该等导电凸块之端部与该第一胶体之外表面形成一共平面;以及进行切单作业,俾形成个别之半导体封装件。13.如申请专利范围第12项之半导体封装件之制法,复包括于该第一胶体形成于该晶元之作用表面上时,形成一第二胶体于该晶元之非作用表面上。14.如申请专利范围第12项之半导体封装件之制法,复包括于该切单作业之步骤后,接置一散热片于该半导体封装件之非为该第一胶体所包覆之表面上。15.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该胶层为树脂。16.如申请专利范围第15项之半导体封装件之制法,其中,该树脂系为聚亚醯胺。17.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该金属层系以铜制成者。18.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该等焊线系为金线。19.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该等导电凸块系由导电性金属制成之焊球。20.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该等导电凸块系由导电性金属制成之焊接凸块。21.如申请专利范围第12.13或14项之半导体封装件之制法,其中,该第一胶体系以树脂化合物制成者。22.如申请专利范围第12或14项之半导体封装件之制法,复于该第一胶体形成于该晶元之作用表面上后,包括一对该第一胶体及该等导电凸块进行水平研磨之步骤。23.如申请专利范围第22项之半导体封装件之制法,复于该第一胶体及该等导电凸块之水平研磨后,包括一对该晶元之非作用表面进行水平研磨之步骤。24.如申请专利范围第13项之半导体封装件之制法,其中,该第二胶体系以树脂化合物制成者。25.如申请专利范围第13项之半导体封装件之制法,复于该第二胶体形成于该晶元之非作用表面上后,包括一对该第二胶体进行水平研磨之步骤。图式简单说明:第1A及1B图系本发明半导体封装件之第一实施例之剖视图;第2A图至2J图系本发明半导体封装件之第一实施例之制造过程示意图;第3图系本发明半导体封装件之第二实施例之剖视图;第4图系本发明半导体封装件之第三实施例之剖视图;以及第5图系习知半导体封装件之剖视图。 |
