发明名称 电解铜箔
摘要 本发明之目的是提供一种与蚀刻光阻(etching resist)层之间具有优良密着性之铜箔,该铜箔在铜箔回路的蚀刻制程的整面处理中,不必进行抛光研磨等的物理研磨,就可已提升介面密着性。为远比目的,在有关于制造电解铜箔的电解工程中,于回转阴极筒(drum)上,使用具有结晶粒度6.0号以上的氧化钛(titanium)材料;另外,在硫酸铜溶液的电解液中,添加胶及/或明胶( gelatin)0.2mg~20mg/L以制造该电解铜箔。以本发明方法制作出来的电解铜箔的光泽面侧的结晶,具有20%以上的双晶结构,能够应用于铜箔积层板的制造。
申请公布号 TW483292 申请公布日期 2002.04.11
申请号 TW089124737 申请日期 2000.11.22
申请人 三井金属业股份有限公司 发明人 中野修;片冈卓;妙中子;内田直仁;半泽规子
分类号 H05K1/09 主分类号 H05K1/09
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种电解铜箔,在含有铜成份的溶液中电解而得,其特征在于:该电解铜箔之光泽面侧的结晶具有20%以上的双晶结构。2.一种电解铜箔的制造方法,如申请专利范围第1项所述的电解铜箔的制造方法,包括:在电解工程中,由电解硫酸铜溶液而制造出析离箔,再将该析离箔施以粗化处理及防锈处理用之表面处理工程;其特征在于:电解工程是在回转阴极筒和沿着该回转阴极筒的形状对向配置的不溶性阳极之间,供给硫酸铜溶液,连续电解而使在回转阴极上电析出的铜箔剥下,且在回转阴极筒的铜电解析出面,使用结晶粒度6.0号以上的氧化钛材料。3.如申请专利范围第2项所述的电解铜箔的制造方法,其中该硫酸铜溶液系添加胶及/或明胶0.2mg-20mg/L者。4.一种铜箔积层板,使用如申请专利范围第1项所述的电解铜箔。图式简单说明:第1图系显示电解铜箔之示意剖面图。第2图系显示电解铜箔之制造工程的概念示意图。第3图系显示比较氧化钛材料的结晶粒度图。第4图系显示不具双晶结构的电解铜箔的TEM影像图及电子线折射影像图。第5图系显示具双晶结构的电解铜箔的TEM影像图及电子线折射影像图。第6图系显示双晶结晶存在于电解铜箔表面的示意图。第7图系显示电解铜箔表面在软蚀刻(soft etching)后的表面形状影像图。第8图系显示铜箔回路剖面的示意图。第9图系显示电解装置侧面的剖面示意图。第10图系显示表面处理机侧面的剖面示意图。
地址 日本