| 主权项 |
1.一种用以自含有C4+/C5+烃类之酸性天然气中除去硫并回收该烃类之方法,此方法包含:(i)将该酸性气体与液体硫吸收剂接触,以除去大部分硫并形成降低硫的气体;(ii)冷却该降低硫的气体,以冷凝更多的含硫化合物及该C4+/C5+烃类而成液体;(iii)自该气体中分离该液体并回收该C4+/C5+烃类,以制造已降低硫与烃类的气体,及(iv)将该已降低硫与烃类的气体,首先与氧化锌接触,再与镍吸收剂接触,以制造一气体其具有低于0.1vppm的硫。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该硫包括H2S及有机含硫化合物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该液体吸收剂也自该气体中除去CO2。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该液体吸收剂包含空间受阻胺。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该有机含硫化合物包括硫醇及COS。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该气体具有低于80vppb的硫。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该冷却系将该气体作焦耳一汤姆生(Joule-Thomson)膨胀而完成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该气体系作为烃类进料通入合成气体产生器,以形成含有H2及CO的混合物之合成气体。9.一种由酸性天然气(其中主要含有甲烷也含有C4+/C5+烃类、CO2.H2S、C2+硫醇及COS)制造含有H2及CO混合物之合成气并自该气体回收该C4+/C5+烃类的方法,其中包含:(a)将该气体接触水性胺溶液以除去大部分该H2S及有机含硫化合物,以制造降低硫的气体,该降低硫的气体中含有低于2vppm的总硫量化合物;(b)将该气体冷却至一温度其可充分冷凝该C4+/C5+烃类及某些余留的含硫化合物成为液体;(c)自该冷却的气体中分离该凝结的液体;(d)回收该C4+/C5+烃类;(e)将该冷却气体加热至温度至少100℉;(f)将该加热气体接触以ZnO且之后接触以镍,以自该气体除去更多的含硫化合物,并制造非常低硫含量的含甲烷气体其含有低于0.1vppm的含硫化合物;(g)将(f)中制造之该气体通入合成气体生成区,使在其中与氧反应以形成该合成气体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中将该气体在该合成气体生成区中与氧及蒸汽反应,以制造该合成气。11.如申请专利范围第10项之方法,其中将该合成气体接触以氧化锌以降硫含量至低于10vppb。12.如申请专利范围第11项之方法,其中于存在硫敏感烃类合成触媒之下,且在可有效地形成烃类的反应条件下,将该合成气体反应,在标准条件室温及压力下至少一部分形成的烃类为固体,且其中该触媒之半寿命期为至少30天。13.如申请专利范围第12项之方法,其中至少一部分的该合成的烃类可由一或更多的氢转化操作而提高品级。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该合成气中的该硫含量低于3vppb,且其中该烃类合成触媒半寿命期为至少150天。15.一种烃类合成方法,其包含于存在硫敏感烃类合成触媒之下,且在可有效地形成烃类的反应条件下,将其中含有H2及CO之混合物之合成气体作反应,在标准条件室温及压力下至少一部分形成的烃类为固体,其中该气体系由申请专利范围第9项之方法所制得,且其中该触媒具有半寿命期高于30天。16.如申请专利范围第15项之方法,其中至少一部分的该烃类,可由一或更多的氢转化操作而提高品级至更有价値的产物。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该触媒半寿命期至少80天。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该触媒半寿命期至少150天。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该合成气体具有硫含量低于3vppb。图式简单说明:此图为本发明之加工方法的流程图。 |
