| 主权项 |
1.一种热处理基板之方法,尤其是半导体晶圆,在程 序室内具有至少一影响温度分布之元件,其特征为 ,在热处理时,改变元件相对于基板及/或程序室之 空间设置。2.根据申请专利范围第1项所述之方法, 其特征为,依热处理时之温度变化控制一相对运动 ,以改变设置。3.根据申请专利范围第1项所述之方 法,其特征为,元件相对于基板及/或程序室运动。4 .根据申请专利范围第3项所述之方法,其特征为,该 运动系为倾斜运动,摆动运动及/或升降运动。5.根 据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,元件 系一至少部分包围基板,在与基板平行平面上之补 偿元件,尤其是补偿环。6.根据申请专利范围第1项 所述之方法,其特征为,元件是由多个片段,尤其是 环形片段组成,且至少一片段被驱动。7.根据申请 专利范围第6项所述之方法,其特征为,各片段之运 动系依至少另一片段之设置加以控制。8.根据申 请专利范围第6项所述之方法,其特征为,至少二片 段同时被驱动。9.根据申请专利范围第8项所述之 方法,其特征为,片段以成对方式,位于基板直径方 向之两端,且此片段对同时被驱动。10.根据申请专 利范围第1项所述之方法,其特征为,元件系光转换 板。11.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特 征为,至少二元件相对于基板及/或程序室之空间 设置被改变。12.根据申请专利范围第1项所述之方 法,其特征为,至少一元件及基板被驱动。13.一种 热处理基板之装置,尤其是半导体晶圆(2),在程序 室(3)内具有至少一影响温度分布之元件(1.16.20.25), 其特征为,在热处理时有一装置被用以改变元件相 对于基板(2)及/或程序室(3)之空间设置。14.根据申 请专利范围第13项所述之装置,其特征为,该设置可 依热处理之温度变化加以控制。15.根据申请专利 范围第13项所述之装置,其特征为,元件(12.16.20.25) 可相对于基板(2)及/或程序室(3)运动。16.根据申请 专利范围第15项所述之装置,其特征为,该运动系倾 斜运动,摆动运动及/或升降运动。17.根据申请专 利范围第13项所述之装置,其特征为,元件(20.25)系 在与基板平行之平面上之基本上包围基板之补偿 元件,尤其是补偿环。18.根据申请专利范围第17项 所述之装置,其特征为,补偿环(20.25)是与基板平面 倾斜设置。19.根据申请专利范围第13项所述之装 置,其特征为,元件(25)系由多个片段(25a-d),尤其是 环形片段组成,且至少一片段可运动。20.根据申请 专利范围第19项所述之装置,其特征为,各片段(25a-d )之运动可依至少另一片段之设置进行控制。21.根 据申请专利范围第13项所述之装置,其特征为,元件 (12.16)系光转换板。22.根据申请专利范围第13项所 述之装置,其特征为,至少二元件相对于基板(2)及/ 或程序室(3)之空间设置可改变。23.根据申请专利 范围第13项所述之装置,其特征为,至少一元件及基 板可运动。24.一种热处理基板(2)之装置,尤其是半 导体晶圆,在程序室(3)内具有至少一影响温度分布 之元件(12.16.20.25),其特征为,至少一元件是相对于 基板(2)之平面倾斜设置。25.根据申请专利范围第 24项所述之装置,其特征为,元件是在与基板平行之 平面上之基本上包围基板之补偿元件(20.25),尤其 是补偿环。26.根据申请专利范围第24项所述之装 置,其特征为,元件系光转换板(12.16)。图式简单说 明: 图一 根据本发明第一实施例之热处理之半导体晶 圆装置,位于第一位置; 图二 根据图一之装置,位于第二位置; 图三 根据第二实施例之热处理之半导体晶圆装置 ,位于第一位置; 图四 根据图三之装置,位于第二位置; 图五 根据本发明之第三实施例之热处理半导体晶 圆装置之示意侧视图; 图六 根据图五装置之示意上视图; 图七 根据本发明装置之影响温度分布之元件,其 位置与热处理温度变化关系图; 图八 另一实施例之温度变化与对时间关系图。 |
