| 主权项 |
1.一种丙烯/乙烯无规共聚物,其特征系: 由附载于微粒子状载体上之至少单方的环戊二烯 基环上,与Q链结紧邻之碳的至少单方之碳上存在 着R1或R2的过渡金属化合物与铝氧烷或其反应生成 物所形成之芳环烯金属衍生物附载型触媒与有机 铝化合物之存在下,使丙烯与乙烯进行共聚合反应 而制得者, 又,前述过渡金属化合物如下列一般式所示 (式中,M为钛、锆及铪群中所选出的过渡金属原子; X及Y可为相同或相异之氢原子、卤原子或烃基; (C5H4-mR1m)及(C5H4-n'R2n)为取代性环戊二烯基;m及n为1- 3之整数,R1及R2可为相同或相异之碳数1-20的烃基或 含矽烃基,但,环戊二烯基环上的R1及R2之取代位置 中,彼此不存在含M之对称面的配置方式,Q为2价之 烃基、非取代亚矽烷基或碳化氮取代亚矽烷基) 乙烯含量(Ew)为0.1-10wt%, 熔点(Tm)为100-160℃, 孤立乙烯含有率(E1)与乙烯含量(Ew)具有下列关系 E1>0.85-0.01Ew 存在聚合物链中之2,1-及1,3-丙烯单位为0-1mol%,重量 平均分子量(Mw)为40,000-1,000,000,且重量平均分子量( Mw)与数平均分子量(Mn)之比例(Mw/Mn)为1.5-3.8。2.如 申请专利范围第1项之共聚物,其中,过渡金属化合 物为二甲基亚矽烷基(2,3,5-三甲基环戊二烯基)(2',4 ',5'-三甲体环戊二烯基)锆二氯化物。3.如申请专 利范围第1项之共聚物,其中,芳环烯金属衍生物附 载型触媒系利用与少量之烯烃预先聚合方式使其 预备活性化者。4.一种丙烯系组成物,其系含有如 申请专利范围第1项之丙烯/乙烯无规共聚物及其 他添加成分。5.一种丙烯/乙烯无规共聚物组成物, 其系含有如申请专利范围第1项之丙烯/乙烯无规 共聚物,与对其每100重量份为0.0001-1重量份的晶 造核剂及其他添加成分。6.一种丙烯/乙烯无规共 聚物组成物,其系含有如申请专利范围第1项之丙 烯/乙烯无规共聚物,与对其每100重量份为0.001-0.5 重量份的自由基发生剂及其他添加成分。7.如申 请专利范围第6项之组成物,其中,自由基发生剂为2 ,5-二甲基-2,5-二(t-丁基过氧化)己烷、2,5-二甲基-2, 5-二(t-丁基过氧化)己炔-3.1,3-双(t-丁基过氧化异丙 基)苯或其混合物。8.一种丙烯/乙烯无规共聚物组 成物,其系于150-300℃之温度下,对如申请专利范围 第6或7项之组成物进行熔融混炼而改质者。9.一种 薄膜,其系由如申请专利范围第4项之丙烯系组成 物所形成者。10.一种复合聚丙烯薄膜,其系由如申 请专利范围第4项之丙烯系组成物所形成的薄膜层 与其他之聚丙烯薄膜层所构成者。11.一种多层聚 丙烯薄膜,其系为,于以结晶性聚丙烯为主成分之 薄膜所形成的基层之至少一单面上层合由如申请 专利范围第4项之丙烯系组成物所成型的薄膜层所 得之热封层后,并经延伸而制得者。12.如申请专利 范围第11项之多层聚丙烯薄膜,其中,结晶性聚丙烯 之等规指数(I.I.)为75%以上者。13.如申请专利范围 第11或12项之多层聚丙烯薄膜,其中,结晶性聚丙烯 具有0.1-10g/10min之熔体流动率(MFR)。14.如申请专利 范围第11或12项之薄膜,其系经双轴延伸者。图式 简单说明: 图1:实施例1所得到的丙烯/乙烯无规共聚物的13C核 磁共振光谱。 图2:实施例2所得到的丙烯/乙烯无规共聚物之13C核 磁共振光谱。 图3:比较例2所得到的丙烯/乙烯无规共聚物之13C核 磁共振光谱。 图4:本发明之丙烯/乙烯无规共聚物的制造方法流 程图。 |
