| 主权项 |
1.一种用于无线电磁波手写板的回授式波峰检测 器,包含: 一回授比较器缓冲级单元,其一输入端连接一类比 电压讯号,其另一输入端连接一回授电容电压讯号 ,该回授比较器缓冲级单元用以输出一电压比较讯 号; 一快速充电路径单元,用以对一电位追随电容快速 充电,且稳定一第一MOS场效电晶体之闸极; 一波峰检测开关单元,其复数个输出端分别连接至 该回授比较器缓冲级单元、该快速充电路径单元, 其一输入端连接至该回授比较器缓冲级单元之输 出端,其控制端连接一脉波讯号,该波峰检测开关 单元用以开关(ON/OFF)该回授电容电压讯号,及该电 压比较讯号; 一快速放电单元,用以对该电位追随电容及一波峰 保持电容进行快速放电; 一波峰讯号保持单元,其分别连接至该波峰检测开 关单元、该快速放电单元及一类比/数位转换器, 其输入端连接至该快速充电路径单元之输出端,该 波峰讯号保持单元用以滤除可能的杂讯,而确保该 波峰保持电容维持稳定的电压,其中该波峰讯号保 持单元的输出端连接至该类比/数位转换器。2.如 申请专利范围第1项所述的回授式波峰检测器,其 中该回授比较器缓冲级单元,系为一运算放大器, 其正相输入端连接该类比电压讯号,其反相输入端 连接该回授电容电压讯号,其输出端输出该电压比 较讯号。3.如申请专利范围第1项所述的回授式波 峰检测器,其中该快速充电路径单元系由该第一MOS 场效电晶体、一第二MOS场效电晶体,及一反相器所 组成,该第一MOS场效电晶体之闸极、该第二MOS场效 电晶体之汲极连接至该第一传输闸之输出端;该反 相器之输入端连接至该脉波讯号;该第二MOS场效电 晶体之闸极连接至该反相器之输出端;该第一MOS场 效电晶体之汲极连接一正电压源;该第一MOS场效电 晶体之源极连接至该波峰讯号保持单元之输入端 。4.如申请专利范围第1项所述的回授式波峰检测 器,其中该波峰检测开关单元系由一第一传输闸及 一第二传输闸所组成,该第一传输闸之输入端连接 该运算放大器之输出端;该第一传输闸之输出端连 接该快速充电路径单元之一端;该第二传输闸之输 入端连接该波峰讯号保持单元之一端;该第二传输 闸之输出端连接该运算放大器之反相输入端;该第 一传输闸之控制端及该第二传输闸之控制端连接 至该脉波讯号。5.如申请专利范围第1项所述的回 授式波峰检测器,其中该快速放电单元系由一第一 电阻、一第二电阻及一第一双极性接面电晶体、 另一反相器、一第三电阻、一第四电阻及一第二 双极性接面电晶体所组成,其中该另一反相器之输 入端连接该脉波讯号,该第二电阻之一端连接至该 另一反相器之输出端及该第四电阻之一端,该第一 电阻之一端连接至该第二电阻之另一端及该第一 双极性接面电晶体之基极,该第一双极性接面电晶 体之集极连接至该电位追随电容之一端,该第一双 极性接面电晶体之射极连接至该第一电阻之另一 端,该第三电阻之一端连接至该第四电阻之另一端 及该第二双极性接面电晶体之基极,该第二双极性 接面电晶体之集极连接至该波峰保持电容之一端, 该第二双极性接面电晶体之射极连接至该第三电 阻之另一端。6.如申请专利范围第1项所述的回授 式波峰检测器,其中该波峰讯号保持单元系由一串 联一电阻的萧特基二极体及并联的该电位追随电 容、该波峰保持电容所组成,其中该电位追随电容 之一端连接该电阻之一端,该波峰保持电容之一端 连接至该萧特基二极体之输出端、该类比/数位转 换器。7.如申请专利范围第3项所述的回授式波峰 检测器,其中该第一MOS场效电晶体、该第二MOS场效 电晶体可以为一双极性接面电晶体或一传输闸所 取代。8.如申请专利范围第4项所述的回授式波峰 检测器,其中该第一传输闸及该第二传输闸可以为 一互补式金氧半型的传输闸或一场效电晶体,或一 双极性接面电晶体,或其他具有开关作用之电晶体 所取代。9.如申请专利范围第5项所述的回授式波 峰检测器,其中该第一双极性接面电晶体及该第二 双极性接面电晶体可以为一MOS场效电晶体或一传 输闸所取代。图式简单说明: 图一系习知无线电磁波手写板之电路方块图 图二系一习知波峰检测器电路 图三系另一习知波峰检测器电路 图四系本创作之波峰检测器电路方块图 图五系本创作之波峰检测器具体实施例 |
