| 主权项 |
1.一种铁电质电晶体,其特征为: -第一源极/汲极区,通道区和第二源极/汲极区邻接 于半导体基板之主面,而通道区是配置在第一源极 /汲极区和第二源/汲极区之间, -设置一种介电质层,其至少覆盖通道区之表面且 重叠于第一源极/汲极区之表面上, -在介电质层之表面上配置一种铁电层,其覆盖第 一源极/汲极区之至少与通道区相邻接之此部份, -在介电质层之表面上另外配置第一极化电极和第 二极化电极,此二个极化电极之间配置铁电层, -在通道区之第一区上方配置一种闸极电极, -通道区之第一区上方之介电质层之厚度小于第二 区上方之介电质之厚度,第二区配置于第二极化电 极下方, -须测定第一源极/汲极区之与通道区相邻接之此 部份之上方之介电质层之厚度,使铁电层之剩余极 化(其平行于主面)在通道区之第二区中产生一些 补偿电荷。2.如申请专利范围第1项之铁电质电晶 体,其中第一源极/汲极区之与通道相邻接之此部 份之上方之介电质层之厚度小于通道区之第二区 上方者之厚度且小于通道区之第二区之平行于主 面之尺寸。3.如申请专利范围第1或第2项之铁电质 电晶体,其中铁电层之一部份配置于通道区上方, 在通道区之与第一源极/汲极区相邻接之此部份之 上方之铁电层厚度是与第一源极/汲极区之与通道 区相邻接之此部份之上方之铁电层相同。4.如申 请专利范围第1项之铁电质电晶体,其中第二极化 电极和闸极电极互相邻接且构成共同之电极。5. 如申请专利范围第1或第2项之铁电质电晶体,其中 第一极化电极下方之介电质层厚度是与第一源极/ 汲极区之与通道区相邻接之此部份之上方之介电 质层厚度相同。6.如申请专利范围第1或第2项之铁 电质电晶体,其中第一极化电极下方之介电质层厚 度是与第二极化电极下方之介电质厚度相同。7. 如申请专利范围第1或第2项之铁电质电晶体,其中 介电质层包含第一介电质层和第二介电质层,第一 介电质层配置在主面上,第二介电质层在闸极电极 之区域中具有一个开口,使闸极电极配置在第一介 电质层之表面。8.如申请专利范围第7项之铁电质 电晶体,其中 -第一介电质层含有SiO2,CeO2,ZrO2或Ta2O5且具有3.5至20 nm之厚度, -第二介电质层含有Si3N4或CeO2且在通道区之第二区 上方具有10至500nm之厚度而在第一源极/汲极区之 与通道区相邻接之此部份上方具有10至300nm之厚度 。9.如申请专利范围第1项之铁电质电晶体,其中铁 电层含有SBT(SrBi2 Ta2O9),PZT(PbZrxTi1-XO2)或BMF(BaMgF4)。 10.如申请专利范围第1或2项之铁电质电晶体,其中 此铁电质电晶体系用作记忆胞配置之记忆胞。图 式简单说明: 第1图系铁电质电晶体之切面。 第2图系记忆胞配置之布局,其记忆胞具有铁电质 电晶体。 第3至5图系铁电质电晶体之制造步骤。 |
