| 主权项 |
1.一种二次元画像检出器,其特征具备:用于将电磁 波所造成之画像资讯转换成电荷之转换层, 像素基板,含有用于收集该转换层之电荷且由与该 转换层相连接之像素电极排列而成之像素排列层, 隔着上述像素排列层面对上述转换层并形成用于 检测所收集之电荷之电极配线之配线层,以及位于 上述像素排列层与配线层之间之绝缘层,以及隔着 上述转换层配置于上述像素排列层相对向之位置 并使上述像素电极之间产生电场之上部电极,该上 部电极系形成于排列有上述像素电极之区域之像 素区域内。2.如申请专利范围第1项之二次元画像 检出器,其中上部电极系形成于排列于上述像素电 极极之最外周之像素之更内侧。3.如申请专利范 围第1项之二次元画像检出器,其中在上述像素区 域隔着上述转换层与上述上部电极相对向之区域 中检测上述画像资讯。4.如申请专利范围第1项之 二次元画像检出器,其中上述像素排列层包括隔着 上述转换层与上述上部电极相对向并用于检测转 换为电荷之画像资讯之画像检出区域,以及位于该 画像检出区域之外侧而不与上述上部电极相对向 之缓冲区域。5.如申请专利范围第1至4项之二次元 画像检出器,其中在对上述转换层射入上述画像资 讯之电磁波一侧之位置具备用于遮蔽上述电磁波 之遮蔽构件,俾至少覆盖上述像素区域外侧之区域 且形成着上述转换层之区域之一部分。6.如申请 专利范围第5项之二次元画像检出器,其中上述画 像资讯之电磁波为X射线,而上述遮蔽构件包含由 铅、钽、钨及钡所构成之群选出之材料。7.一种 二次元画像检出器,其特征具备: 动态矩阵基板,具有配置成矩阵状之多个像素电极 , 转换层,在该动态矩阵基板上与上述多个像素电极 电连,同时形成覆盖上述多个像素电极,并用于将 射入之电磁波之画像资讯转换成电荷,以及 上部电极,隔着该转换层设置与上述动态矩阵基板 相对向,并在与上述像素电极之间被施加电压, 上述配置有多个像素电极之像素区域包含有与位 于上述动态矩阵基板之上部电极相对向之区域,而 且比与该上部电极相对向之区域为大。8.如申请 专利范围第7项之二次元画像检出器,其中上述像 素区域包含: 画像检出区域,隔着上述转换层与上述上部电极相 对向并配置有用于检测转换为电荷之画像资讯之 多个像素电极,以及 缓冲区域,位于该画像检出区域之外侧并配置着未 与上述上部电极相对向之多个像素电极。9.如申 请专利范围第8项之二次元画像检出器,其中上述 缓冲区域围绕着上述画像检出区域。10.如申请专 利范围第8或9项之二次元画像检出器,其中配置于 上述缓冲区域之像素电极可将来自上述转换层之 电荷排出。图式简单说明: 第1图(a)及第1图(b)表示本发明之一实施形态中之 二次元画像检出器之基本构造,第1图(a)为平面图, 以及该平面图中之B-B线箭头符号剖面图,第1图(b) 为第1图(a)剖面图中以圆所围部分之扩大图。 第2图为第1图(a)及第1图(b)之二次元画像检出器中 每一像素之剖面图。 第3图(a)及第3图(b)表示本发明之一变形例中之二 次元画像检出器之基本构造,第3(a)为平面图及该 平面图中C-C线箭头符号剖面图,第3图(b)为第3图(a) 之剖面图中以圆围所围部分之扩大图。 第4图为先前之二次元画像检出器之平面图及该图 中A-A线箭头符号剖面图。 第5图为第4图之二次元画像检出器中每一像素之 剖面图。 |
