| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die durch einen Oxidfilm einer Elementisolation unterliegt, und mit diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19630128(C2) |
申请公布日期 |
2002.04.11 |
| 申请号 |
DE19961030128 |
申请日期 |
1996.07.25 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
KUNIKIYO, TATSUYA |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
