发明名称 | 基体的电解镀覆方法 | ||
摘要 | 本发明涉及采用陶瓷铬层对基体,尤其是活塞环进行电解镀覆的方法,所述基体布置在与电压相连的电极上,用于镀覆基体的铬离子存在于电解质中。另外,所述电解质含有以离子形式存在其中的结晶载体结构,所述载体结构起作为存在于电解质中的铬离子的载体作用,并且采用所述方法进入在基体上形成的陶瓷铬层中。本发明也涉及镀覆至基体,尤其是活塞环上的陶瓷铬层,而且,其特征在于所述铬层采用上述方法形成并且包含结晶载体结构。 | ||
申请公布号 | CN1344334A | 申请公布日期 | 2002.04.10 |
申请号 | CN00805261.1 | 申请日期 | 2000.03.13 |
申请人 | 肯桑特拉沃克斯塔茨股份公司 | 发明人 | P·塞缪尔森 |
分类号 | C25D15/02;F16J9/26 | 主分类号 | C25D15/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王杰 |
主权项 | 1.采用陶瓷铬层对基体,特别是活塞环进行电解镀覆的方法,所述基体布置在与电压连接的电极处,用于镀覆基体的铬离子存在于电解质中,所述方法的特征在于所述电解质含有以离子形式存在电解质中的结晶载体结构,所述载体结构起作为存在于电解质中的铬离子的载体作用,而且,所述载体结构借助所述方法进入在基体上形成的陶瓷铬层中。 | ||
地址 | 瑞典哥德堡 |