| 摘要 |
1. Конструкция силового полупроводникового мультимодуля, состоящая из корпуса мультимодуля, полупроводниковых приборов, размещенных в корпусе мультимодуля, каждый из которых имеет собственный корпус с установленными в нем полупроводниковыми элементами, не менее двух электродов, одним из которых является металлическое основание прибора, вторым электродом является вывод прибора, нижней шины, на которой размещены полупроводниковые приборы, верхних шин, служащих для соединения между собой выводов полупроводниковых приборов, плоских шайб, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт между верхней шиной, электродами полупроводниковых приборов и нижней шиной, электрически изолированной траверсы, стяжных винтов, оребренного охладителя, имеющего плоскую область, расположенную перпендикулярно ребрам, отличающаяся тем, что имеет не менее двух нижних шин с установленными на них полупроводниковыми приборами фланцевой конструкции, которые размещены на плоской части оребренного охладителя и электрически изолированы от него теплопроводящими изоляторами, в нижних шинах изготовлены отверстия, соосные с отверстиями в основаниях полупроводниковых приборов, в которые вставлены штифты, препятствующие перемещению полупроводниковых приборов относительно плоскости нижних шин, в отверстия выводов полупроводниковых приборов вставлены направляющие изоляторы, на которые одеты верхние шины, плоские шайбы, тарельчатые пружины, траверсы, соединенные с оребренным охладителем стяжными винтами, проходящими через сквозные отверстия в его плоской части, вкрученными в планки, вложенные между ребер о� |
